#CES2026 Une mémoire non volatile résistive dédié à l’IoT et à IA locale
Weebit Nano développe la ReRAM, une mémoire non volatile résistive, idéale pour l’intégration dans les SoCs destinés à l’IoT, l’automobile, l’IA de bord et les appareils edge. Cette technologie surpasse d’après ses concepteur la mémoire flash embarquée par sa consommation d’énergie réduite (jusqu’à 100x inférieure), sa vitesse d’écriture rapide (100x plus vite) et sa scalabilité sous 40 nm, avec une endurance élevée et une rétention à haute température.
La ReRAM utilise des matériaux compatibles avec les fondeurs de puce actuels, nécessite peu de masques supplémentaires et convient aux applications critiques comme les MCUs, la neuromorphique et les éléments sécurisés. Elle offre une densité élevée et une faible puissance pour stocker les poids des réseaux neuronaux en IA edge.
Elle cible donc logiquement les wearables, la robotique, la 5G et les véhicules autonomes, via des partenariats avec le CEA-Leti en France, onsemi, DB HiTek, SkyWater et GlobalFoundries..
Elle présente une endurance de 10^5 à 10^6 cycles et une rétention de données jusqu’à 10 ans à 175°C, idéale pour les environnements extrêmes.
Weebit Nano a présenté au CES 2026 une démo live d’IA edge avec reconnaissance de gestes, fonctionnant sur silicium de production DB HiTek intégrant la ReRAM embarquée.
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